CS220N03MD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS220N03MD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для CS220N03MD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS220N03MD даташит

 ..1. Size:118K  china
 cs220n03md.pdf pdf_icon

CS220N03MD

 7.1. Size:355K  crhj
 cs220n04 a8h.pdf pdf_icon

CS220N03MD

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS220N04 A8H General Description VDSS 40 V CS220N04 A8H, the silicon N-channel Enhanced ID 220 A PD(TC=25 ) 333 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 3.2 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 7.2. Size:579K  wuxi china
 cs220n04a8h.pdf pdf_icon

CS220N03MD

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS220N04 A8H General Description VDSS 40 V CS220N04 A8H, the silicon N-channel Enhanced ID 220 A PD(TC=25 ) 333 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 3.2 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

Другие IGBT... CS20N50ANH, CS20N60, CS20N60A8H, CS20N60ANH, CS20N60FA9H, CS20N65FA9H, CS20N90ANRD, CS2110K1, IRF1404, CS220N04A8H, CS2232, CS2308, CS240, CS24N40A8, CS24N50, CS250, CS27P06