CS220N04A8H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS220N04A8H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для CS220N04A8H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS220N04A8H даташит

 ..1. Size:579K  wuxi china
 cs220n04a8h.pdf pdf_icon

CS220N04A8H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS220N04 A8H General Description VDSS 40 V CS220N04 A8H, the silicon N-channel Enhanced ID 220 A PD(TC=25 ) 333 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 3.2 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 6.1. Size:355K  crhj
 cs220n04 a8h.pdf pdf_icon

CS220N04A8H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS220N04 A8H General Description VDSS 40 V CS220N04 A8H, the silicon N-channel Enhanced ID 220 A PD(TC=25 ) 333 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 3.2 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 7.1. Size:118K  china
 cs220n03md.pdf pdf_icon

CS220N04A8H

Другие IGBT... CS20N60, CS20N60A8H, CS20N60ANH, CS20N60FA9H, CS20N65FA9H, CS20N90ANRD, CS2110K1, CS220N03MD, IRLZ44N, CS2232, CS2308, CS240, CS24N40A8, CS24N50, CS250, CS27P06, CS2807