CS4N70FA9D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS4N70FA9D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CS4N70FA9D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS4N70FA9D даташит

 ..1. Size:930K  wuxi china
 cs4n70fa9d.pdf pdf_icon

CS4N70FA9D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS4N70F A9D General Description VDSS 700 V CS4N70F A9D, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 5.1. Size:321K  wuxi china
 cs4n70fa9r.pdf pdf_icon

CS4N70FA9D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS4N70F A9R General Description VDSS 700 V CS4N70F A9R, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.55 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 7.1. Size:2205K  jilin sino
 jcs4n70v jcs4n70r jcs4n70mf jcs4n70s jcs4n70b jcs4n70c jcs4n70f.pdf pdf_icon

CS4N70FA9D

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 700 V Rdson-max 2.8 @Vgs=10V Qg-typ 16nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS T0-251N-S2 FEA

 7.2. Size:2742K  jilin sino
 jcs4n70v jcs4n70r jcs4n70mf jcs4n70c jcs4n70f jcs4n70b jcs4n70s.pdf pdf_icon

CS4N70FA9D

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A 700 V VDSS Rdson-max 2.8 Vgs=10V 16nC Qg-Typ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS4N65A3HD, CS4N65A3HDY, CS4N65A3TDY, CS4N65A4HDY, CS4N65A4TDY, CS4N65A8HD, CS4N65F, CS4N70ARHD, 20N60, CS50N06, CS50N06D, CS50N80, CS5103, CS520, CS5210, CS5210PBF, CS530