Справочник MOSFET. NDS7002A

 

NDS7002A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDS7002A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NDS7002A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  fairchild semi
 2n7000 2n7002 nds7002a.pdf pdf_icon

NDS7002A

November 1995 2N7000 / 2N7002 / NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesHigh density cell design for low RDS(ON).These N-Channel enhancement mode field effect transistorsare produced using Fairchild's proprietary, high cell density,Voltage controlled small signal switch.DMOS technology. These products have been designed toRugged

 ..2. Size:736K  onsemi
 2n7000 2n7002 nds7002a.pdf pdf_icon

NDS7002A

2N7000 / 2N7002 / NDS7002AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDescriptionFeaturesThese N-channel enhancement mode field effect transis- High Density Cell Design for Low RDS(ON)tors are produced using ON Semiconductor's Voltage Controlled Small Signal Switchproprietary, high cell density, DMOS technology. These Rugged and Reliableproducts have been de

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: TPC8109 | IRFP150FI | STM8300 | SIR484DP | RQ3E130MN | APT10050LVFR | SI1402DH

 

 
Back to Top

 


 
.