NDS7002A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDS7002A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NDS7002A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDS7002A даташит

 ..1. Size:109K  fairchild semi
 2n7000 2n7002 nds7002a.pdf pdf_icon

NDS7002A

November 1995 2N7000 / 2N7002 / NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features High density cell design for low RDS(ON). These N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, Voltage controlled small signal switch. DMOS technology. These products have been designed to Rugged

 ..2. Size:736K  onsemi
 2n7000 2n7002 nds7002a.pdf pdf_icon

NDS7002A

2N7000 / 2N7002 / NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description Features These N-channel enhancement mode field effect transis- High Density Cell Design for Low RDS(ON) tors are produced using ON Semiconductor's Voltage Controlled Small Signal Switch proprietary, high cell density, DMOS technology. These Rugged and Reliable products have been de

Другие IGBT... NDP710A, NDS0605, NDS0610, NDS332P, NDS351AN, NDS352AP, NDS355AN, NDS356AP, HY1906P, NDS8410A, NDS8425, NDS8426A, NDS8434A, NDS8435A, NDS8926, NDS8934, NDS8936