NDS7002A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NDS7002A
Маркировка: 712
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: SOT23
NDS7002A Datasheet (PDF)
2n7000 2n7002 nds7002a.pdf
November 1995 2N7000 / 2N7002 / NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesHigh density cell design for low RDS(ON).These N-Channel enhancement mode field effect transistorsare produced using Fairchild's proprietary, high cell density,Voltage controlled small signal switch.DMOS technology. These products have been designed toRugged
2n7000 2n7002 nds7002a.pdf
2N7000 / 2N7002 / NDS7002AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDescriptionFeaturesThese N-channel enhancement mode field effect transis- High Density Cell Design for Low RDS(ON)tors are produced using ON Semiconductor's Voltage Controlled Small Signal Switchproprietary, high cell density, DMOS technology. These Rugged and Reliableproducts have been de
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918