Справочник MOSFET. CS5N90

 

CS5N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS5N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-254
 

 Аналог (замена) для CS5N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  crhj
 cs5n90 arh-g.pdf pdf_icon

CS5N90

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N90 ARH-G General Description VDSS 900 V CS5N90 ARH-G, the silicon N-channel Enhanced ID 5 A PD(TC=25) 45 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various p

 ..2. Size:124K  china
 cs5n90.pdf pdf_icon

CS5N90

CS5N90 N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 5.0 A IDM 20 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.73 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2.5A 1.7 3.8 VGS th VDS=VGS,ID=0

 0.1. Size:424K  crhj
 cs5n90f a9h.pdf pdf_icon

CS5N90

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N90F A9H General Description VDSS 900 V CS5N90F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 5 A PD(TC=25) 45 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 2.1 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 0.2. Size:609K  wuxi china
 cs5n90arh-g.pdf pdf_icon

CS5N90

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N90 ARH-G General Description VDSS 900 V CS5N90 ARH-G, the silicon N-channel Enhanced ID 5 A PD(TC=25) 45 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS5N60F , CS5N65A3 , CS5N65A4 , CS5N65A7H , CS5N65A8H , CS5N65FA9H , CS5N70A4 , CS5N70FA9 , IRF4905 , CS5N90ARH-G , CS5N90FA9H , CS5NB90 , CS5NJ5305 , CS5NJ540 , CS5NJ540A , CS5NJ9540 , CS5NJZ48 .

History: CHM6338JGP | CEM3258 | AON6816

 

 
Back to Top

 


 
.