Справочник MOSFET. CS5N90FA9H

 

CS5N90FA9H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS5N90FA9H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5N90FA9H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  wuxi china
 cs5n90fa9h.pdf pdf_icon

CS5N90FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N90F A9H General Description VDSS 900 V CS5N90F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 5 A PD(TC=25) 45 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 2.1 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 7.1. Size:424K  crhj
 cs5n90f a9h.pdf pdf_icon

CS5N90FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N90F A9H General Description VDSS 900 V CS5N90F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 5 A PD(TC=25) 45 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 2.1 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.1. Size:612K  crhj
 cs5n90 arh-g.pdf pdf_icon

CS5N90FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N90 ARH-G General Description VDSS 900 V CS5N90 ARH-G, the silicon N-channel Enhanced ID 5 A PD(TC=25) 45 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various p

 8.2. Size:124K  china
 cs5n90.pdf pdf_icon

CS5N90FA9H

CS5N90 N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 5.0 A IDM 20 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.73 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2.5A 1.7 3.8 VGS th VDS=VGS,ID=0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: APQ12SN60A

 

 
Back to Top

 


 
.