Справочник MOSFET. CS5N90FA9H

 

CS5N90FA9H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CS5N90FA9H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для CS5N90FA9H

 

 

CS5N90FA9H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  wuxi china
 cs5n90fa9h.pdf

CS5N90FA9H CS5N90FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N90F A9H General Description VDSS 900 V CS5N90F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 5 A PD(TC=25) 45 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 2.1 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 7.1. Size:424K  crhj
 cs5n90f a9h.pdf

CS5N90FA9H CS5N90FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N90F A9H General Description VDSS 900 V CS5N90F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 5 A PD(TC=25) 45 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 2.1 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.1. Size:612K  crhj
 cs5n90 arh-g.pdf

CS5N90FA9H CS5N90FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N90 ARH-G General Description VDSS 900 V CS5N90 ARH-G, the silicon N-channel Enhanced ID 5 A PD(TC=25) 45 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various p

 8.2. Size:124K  china
 cs5n90.pdf

CS5N90FA9H

CS5N90 N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 5.0 A IDM 20 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.73 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2.5A 1.7 3.8 VGS th VDS=VGS,ID=0

 8.3. Size:609K  wuxi china
 cs5n90arh-g.pdf

CS5N90FA9H CS5N90FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N90 ARH-G General Description VDSS 900 V CS5N90 ARH-G, the silicon N-channel Enhanced ID 5 A PD(TC=25) 45 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various p

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top