CS630F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS630F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CS630F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS630F даташит

 ..1. Size:712K  crhj
 cs630f a9h.pdf pdf_icon

CS630F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS630F A9H General Description VDSS 200 V CS630F A9H, the silicon N-channel Enhanced ID 9 A PD(TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.23 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 ..2. Size:228K  lzg
 cs630f.pdf pdf_icon

CS630F

 0.1. Size:2285K  jilin sino
 jcs630va jcs630ra jcs630va jcs630ba jcs630sa jcs630fa jcs630ca.pdf pdf_icon

CS630F

N N- CHANNEL MOSFET R JCS630A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.4 @Vgs=10V Qg-typ 22nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 0.2. Size:1941K  jilin sino
 jcs630va jcs630ra jcs630ba jcs630sa jcs630ca jcs630fa.pdf pdf_icon

CS630F

N N- CHANNEL MOSFET R JCS630A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.4 @Vgs=10V Qg-typ 22nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS5Y9540CM, CS60N04A4, CS6215PBF, CS630, CS630A3H, CS630A4H, CS630A8H, CS630D, STP80NF70, CS630FA9H, CS634F, CS640, CS640A0H, CS640A8H, CS640F, CS640FA9H, CS64N90