Справочник MOSFET. CS630F

 

CS630F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CS630F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для CS630F

 

 

CS630F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:712K  crhj
 cs630f a9h.pdf

CS630F CS630F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS630F A9H General Description VDSS 200 V CS630F A9H, the silicon N-channel Enhanced ID 9 A PD(TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.23 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 ..2. Size:228K  lzg
 cs630f.pdf

CS630F CS630F

IRFS630(CS630F) N-Channel MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 0.1. Size:2285K  jilin sino
 jcs630va jcs630ra jcs630va jcs630ba jcs630sa jcs630fa jcs630ca.pdf

CS630F CS630F

N N- CHANNEL MOSFET R JCS630A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.4 @Vgs=10V Qg-typ 22nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 0.2. Size:1941K  jilin sino
 jcs630va jcs630ra jcs630ba jcs630sa jcs630ca jcs630fa.pdf

CS630F CS630F

N N- CHANNEL MOSFET R JCS630A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.4 @Vgs=10V Qg-typ 22nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 0.3. Size:1651K  blue-rocket-elect
 brcs630fa.pdf

CS630F CS630F

BRCS630FA Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features V =200VI =9A DS DRDS(on)@10V0.4(Type.0.35) HF Product. / Applications LED Networking,Load Switch,LED applications.

 0.4. Size:832K  wuxi china
 cs630fa9h.pdf

CS630F CS630F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS630F A9H General Description VDSS 200 V CS630F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 9 A PD(TC=25) 30 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.23 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top