Справочник MOSFET. CSD16323Q3

 

CSD16323Q3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CSD16323Q3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: SON3.3X3.3 SUPERSO8

 Аналог (замена) для CSD16323Q3

 

 

CSD16323Q3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:754K  texas
 csd16323q3.pdf

CSD16323Q3 CSD16323Q3

CSD16323Q3www.ti.com SLPS224B AUGUST 2009REVISED NOVEMBER 2011N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD16323Q31FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 25 V Ultra Low Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 6.2 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nCVGS = 3V 5.4 m Avalanch

 ..2. Size:2570K  cn vbsemi
 csd16323q3.pdf

CSD16323Q3 CSD16323Q3

CSD16323Q3www.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARY DefinitionVDS (V) RDS(on) () Typ. Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.004 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg and UIS Tested30 33.5 nC0.005 at VGS = 2.5 V 45 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Motor Control I

 7.1. Size:802K  texas
 csd16325q5.pdf

CSD16323Q3 CSD16323Q3

CSD16325Q5www.ti.com SLPS218C AUGUST 2009 REVISED APRIL 2010N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD16325Q51FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 25 V Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 18 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 3.5 nC Avalanche RatedVGS = 3V 2.1

 7.2. Size:1195K  texas
 csd16327q3.pdf

CSD16323Q3 CSD16323Q3

CSD16327Q3www.ti.com SLPS371 DECEMBER 2011N-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD16327Q31FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 25 V Ultra Low Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 6.2 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nCVGS = 3V 5 m Avalanche RatedRDS(on) Drain to

 7.3. Size:757K  texas
 csd16321q5.pdf

CSD16323Q3 CSD16323Q3

CSD16321Q5www.ti.com SLPS220B AUGUST 2009 REVISED MAY 2010N-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD16321Q51FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 25 V Ultra Low Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 14 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 2.5 nC Avalanche RatedVGS = 3V 2.8 m

 7.4. Size:763K  texas
 csd16322q5.pdf

CSD16323Q3 CSD16323Q3

CSD16322Q5www.ti.com SLPS219B AUGUST 2009 REVISED MAY 2010N-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD16322Q51FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 25 V Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 6.8 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 1.3 nC Avalanche RatedVGS = 3V 5.4 m

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top