CSD17310Q5A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD17310Q5A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm

Тип корпуса: SON5X6 SUPERSO8

Аналог (замена) для CSD17310Q5A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD17310Q5A даташит

 ..1. Size:883K  texas
 csd17310q5a.pdf pdf_icon

CSD17310Q5A

CSD17310Q5A www.ti.com SLPS255A FEBRUARY 2010 REVISED JULY 2010 30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD17310Q5A 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Optimized for 5V Gate Drive VDS Drain to Source Voltage 30 V Ultralow Qg and Qgd Qg Gate Charge Total (4.5V) 8.9 nC Low Thermal Resistance Qgd Gate Charge Gate to Drain 2.1 nC Avalanche Rated VGS

 7.1. Size:947K  texas
 csd17313q2q1.pdf pdf_icon

CSD17310Q5A

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD17313Q2Q1 SLPS427D OCTOBER 2012 REVISED SEPTEMBER 2015 CSD17313Q2Q1 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Qualified for Automotive Applications TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Optimized for 5-V Gate Drive VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Ultra-Low Q

 7.2. Size:896K  texas
 csd17311q5.pdf pdf_icon

CSD17310Q5A

CSD17311Q5 www.ti.com SLPS257A MARCH 2010 REVISED SEPTEMBER 2010 30V N-Channel NexFET Power MOSFET Check for Samples CSD17311Q5 PRODUCT SUMMARY 1 FEATURES VDS Drain to Source Voltage 30 V 2 Optimized for 5V Gate Drive Qg Gate Charge Total (4.5V) 24 nC Ultra Low Qg and Qgd Qgd Gate Charge Gate to Drain 5.2 nC Low Thermal Resistance VGS = 3V 2.3 m Avala

 7.3. Size:314K  texas
 csd17313q2.pdf pdf_icon

CSD17310Q5A

CSD17313Q2 www.ti.com SLPS260B MARCH 2010 REVISED OCTOBER 2010 30V N-Channel NexFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY 1 FEATURES VDS Drain to Source Voltage 30 V Optimized for 5V Gate Drive Qg Gate Charge Total (4.5V) 2.1 nC Ultra Low Qg and Qgd Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.4 nC Low Thermal Resistance VGS = 3V 31 m Pb Free RDS(on) Drain to Source On Resi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CSD17302Q5A, CSD17303Q5, CSD17304Q3, CSD17305Q5A, CSD17306Q5A, CSD17307Q5A, CSD17308Q3, CSD17309Q3, AON7410, CSD17311Q5, CSD17312Q5, CSD17313Q2, CSD17313Q2Q1, CSD17322Q5A, CSD17327Q5A, CSD17381F4, CSD17483F4