CSD75301W1015 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CSD75301W1015
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 1.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: WLP1.0X1.5
Аналог (замена) для CSD75301W1015
CSD75301W1015 Datasheet (PDF)
csd75301w1015.pdf
P-Channel Dual Common Source CICLON NexFET Power MOSFETs CSD75301W1015 Product Summary (Per Device) Features Dual P-ch MOSFETs VDS -20 V Common Source Configuration Qg 1.5 nCD2 G2 Qgd 0.3 nC Small Footprint 1.0 x 1.5 mm S S VGS= -1.8V 150 m Low Profile 0.65mm G1 D1 RDS(on) VGS=-2.5V 105 m Ultra Low Qg and Qgd VGS=-4
csd75208w1015.pdf
Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD75208W1015SLPS512 JULY 2014CSD75208W1015 Dual 20-V Common Source P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Dual P-Channel MOSFETsTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Common Source ConfigurationVDS Drain-to-Source Voltage 20 V Small Footprint 1 mm 1.5 mmQ
csd75205w1015.pdf
CSD75205W1015www.ti.com SLPS222B OCTOBER 2009 REVISED OCTOBER 2010P-Channel NexFET Power MOSFET1FEATURESPRODUCT SUMMARY Dual P-Ch MOSFETsVDS Drain to Source Voltage 20 V Common Source ConfigurationQg Gate Charge Total (-4.5V) 1.6 nC Small Footprint 1mm 1.5mmQgd Gate Charge Gate to Drain 0.4 nCVGS = 1.8V 145 m Gate-Source Voltage Clamp
csd75211w1723.pdf
CSD75211W1723www.ti.com SLPS250A MAY 2010REVISED AUGUST 2011Dual P-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD75211W1723PRODUCT SUMMARY1FEATURESVDS Drain to Source Voltage -20 V Dual P-Ch MOSFETsQg Gate Charge Total (-4.5V) 4.5 nC Common Source ConfigurationQgd Gate Charge Gate to Drain 0.9 nC Small Footprint 1.7 mm 2.3 mmVGS = -1.8V 50 m
csd75207w15.pdf
Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD75207W15SLPS418A JUNE 2013 REVISED JUNE 2014CSD75207W15 Dual P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Dual P-Channel MOSFETsTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Common Source ConfigurationVD1D2 Drain-to-Drain Voltage 20 V Small Footprint 1.5-mm 1.5-mm
csd75204w15.pdf
CSD75204W15www.ti.com SLPS221A OCTOBER 2009REVISED OCTOBER 2010Dual P-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD75204W151FEATURESPRODUCT SUMMARY Dual P-Ch MOSFETsVD1D2 Drain to Drain Voltage 20 V Common Source ConfigurationQg Gate Charge Total (-4.5V) 2.8 nC Small Footprint 1.5-mm 1.5-mmQgd Gate Charge Gate to Drain 0.6 nC Gate-Source
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918