PHB2N50E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHB2N50E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm
Тип корпуса: SOT404
PHB2N50E Datasheet (PDF)
php2n50e phb2n50e phd2n50e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N50E, PHB2N50E, PHD2N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 5 sGENERAL DESCRIPTIONN-channe
phb2n50 1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHB2N50 GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 500 Vmounting featuring high avalanche ID Drain current (DC) 2 Aenergy capability, stable off-state Ptot Total power dis
php2n60e phb2n60e phd2n60e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N60E, PHB2N60E, PHD2N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.9 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 6 sGENERAL DESCRIPTIONN-chan
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .