Справочник MOSFET. PHB50N03LT

 

PHB50N03LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHB50N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SOT404

 Аналог (замена) для PHB50N03LT

 

 

PHB50N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  philips
 phb50n03lt phd50n03lt php50n03lt 7.pdf

PHB50N03LT PHB50N03LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP50N03LT, PHB50N03LT Logic level FET PHD50N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 48 A High thermal cycling performance Low thermal resistance RDS(ON) 16 m (VGS = 10 V)g Logic leve

 6.1. Size:52K  philips
 phb50n03t 1.pdf

PHB50N03LT PHB50N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB50N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 Vsuitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 50 Atrench technology. The devic

 7.1. Size:56K  philips
 phb50n06t 1.pdf

PHB50N03LT PHB50N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB50N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 50 Atrench technology the devic

 7.2. Size:55K  philips
 phb50n06lt.pdf

PHB50N03LT PHB50N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB50N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. Using trench technology ID Drain current (DC) 50 Athe device fea

Другие MOSFET... PHB37N06LT , PHB3N40E , PHB3N50E , PHB3N60E , PHB42N03LT , PHB44N06LT , PHB45N03LT , PHB4N60E , IRF1010E , PHB50N06LT , PHB55N03LT , PHB60N06LT , PHB65N06LT , PHB69N03LT , PHB6N50E , PHB6N60E , PHB6ND50E .

 

 
Back to Top