L2N60I MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: L2N60I
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 30 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm
Тип корпуса: TO-251
L2N60I Datasheet (PDF)
l2n60d l2n60f l2n60i l2n60p.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2N60600V N-Channel MOSFET 2 DESCRIPTION 1 3
brl2n60.pdf
BRL2N60(CS2N60L) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25
l2n600.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.600V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 600V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@1A = 3.8 We declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.1/5LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2N600Electrical Characteristics Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Test Condition Min Typ Max UnitOff CharacteristicsDrain-Source Breakdown Voltage
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
