NVD3055L170 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NVD3055L170 📄📄
Маркировка: 3170L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.7 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NVD3055L170
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NVD3055L170 даташит
ntd3055l170 nvd3055l170.pdf
NTD3055L170, NVD3055L170 MOSFET Power, N-Channel, Logic Level, DPAK/IPAK www.onsemi.com 9.0 A, 60 V Designed for low voltage, high speed switching applications in 9.0 AMPERES, 60 VOLTS power supplies, converters and power motor controls and bridge RDS(on) = 170 mW circuits. D Features NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Chang
nvd3055l170.pdf
NTD3055L170, NVD3055L170 Power MOSFET 9.0 A, 60 V, Logic Level, N-Channel DPAK/IPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in http //onsemi.com power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. 9.0 AMPERES, 60 VOLTS RDS(on) = 170 mW Features NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring D Unique Site and Control Change R
nvd3055l170.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor NVD3055L170 FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE
ntd3055-150 nvd3055-150.pdf
NTD3055-150, NVD3055-150 Power MOSFET 9.0 A, 60 V, N-Channel DPAK/IPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge www.onsemi.com circuits. 9.0 AMPERES, 60 VOLTS Features RDS(on) = 122 mW (Typ) NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring D Unique Site and Control Change Requirements
Другие IGBT... NVB6410AN, NVB6411AN, NVB6412AN, NVB6413AN, NVD14N03R, NVD20N03L27, NVD3055-094, NVD3055-150, STF13NM60N, NVD4804N, NVD4805N, NVD4806N, NVD4808N, NVD4809N, NVD4810N, NVD4813NH, NVD4856N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b






