NVD5802N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NVD5802N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93.75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 101 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NVD5802N
NVD5802N Datasheet (PDF)
nvd5802n.pdf

NTD5802N, NVD5802NPower MOSFET40 V, Single N-Channel, 101 A DPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses MSL 1/260CV(BR)DSS RDS(on) ID 100% Avalanche Tested4.4 mW @ 10 V 101 A NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requirin
ntd5802n nvd5802n.pdf

NTD5802N, NVD5802NPower MOSFET40 V, Single N-Channel, 101 A DPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses MSL 1/260CV(BR)DSS RDS(on) ID 100% Avalanche Tested4.4 mW @ 10 V 101 A NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
nvd5807n.pdf

NTD5807N, NVD5807NPower MOSFET40 V, 23 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVD5807NV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant37 mW @ 4.5 V 16 A40 VApplications31 mW @ 10 V 23 A CCFL Backlight
nvd5805n.pdf

NTD5805N, NVD5805NPower MOSFET40 V, 51 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy Specified NVD Prefix for Automotive and Other Applications RequiringV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q10116 mW @ 5.0 VQualified and PPAP Capable40 V51 A These Devices
Другие MOSFET... NVD4810N , NVD4813NH , NVD4856N , NVD4C05N , NVD5117PL , NVD5414N , NVD5484NL , NVD5490NL , 60N06 , NVD5805N , NVD5806N , NVD5807N , NVD5890NL , NVD5890NT4G , NVD6414AN , NVD6415AN , NVD6416AN .
History: 2SK2964 | FDP8N50NZU
History: 2SK2964 | FDP8N50NZU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet