Справочник MOSFET. NVGS4141N

 

NVGS4141N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NVGS4141N

Маркировка: VS4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 12 nC

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 115 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для NVGS4141N

 

 

NVGS4141N Datasheet (PDF)

1.1. nvgs4141n.pdf Size:113K _update_mosfet

NVGS4141N NVGS4141N

NTGS4141N, NVGS4141N Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N-Channel, TSOP-6 Features • Low RDS(on) • Low Gate Charge • NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique http://onsemi.com Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX • Pb-Free Package is Available 21.5 mW @ 10 V Applications 30 V 7.0 A 30 mW

4.1. nvgs4111p.pdf Size:113K _update_mosfet

NVGS4141N NVGS4141N

NTGS4111P, NVGS4111P Power MOSFET -30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features • Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on) • Low Profile Package Suitable for Portable Applications http://onsemi.com • Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board Space V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX • Improved Efficiency for Battery Applications • NV Prefix for Automotive and Other Applications

 

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top