NVGS4141N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NVGS4141N
Маркировка: VS4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
NVGS4141N Datasheet (PDF)
ntgs4141n nvgs4141n.pdf

NTGS4141N, NVGS4141NMOSFET Power, Single,N-Channel, TSOP-630 V, 7.0 AFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com Low Gate Charge NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP Capable21.5 mW @ 10 V Pb-Free Package is Available30 V 7.0 A30 mW @ 4.5
nvgs4141n.pdf

NTGS4141N, NVGS4141NPower MOSFET30 V, 7.0 A, Single N-Channel, TSOP-6Features Low RDS(on) Low Gate Charge NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniquehttp://onsemi.comSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available21.5 mW @ 10 VApplications 30 V 7.0 A30 mW
ntgs4111p nvgs4111p.pdf

NTGS4111P, NVGS4111PMOSFET Power, Single,P-Channel, TSOP-6-30 V, -4.7 AFeatureshttp://onsemi.com Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on) Low Profile Package Suitable for Portable ApplicationsV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board Space38 mW @ -10 V Improved Efficiency for Battery Applications-30 V -4.7 A68 mW @ -4.5 V
nvgs4111p.pdf

NTGS4111P, NVGS4111PPower MOSFET-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6Features Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on) Low Profile Package Suitable for Portable Applications http://onsemi.com Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Improved Efficiency for Battery Applications NV Prefix for Automotive and Other Applications
Другие MOSFET... NVF3055L108 , NVF5P03 , NVF6P02 , NVGS3130N , NVGS3136P , NVGS3441 , NVGS3443 , NVGS4111P , IRF640N , NVGS5120P , NVJD4152P , NVJD4158C , NVJD4401N , NVJD5121N , NVJS3151P , NVJS4151P , NVJS4405N .
History: EKI10126 | QM3002J



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1018AG | JMSL1013AGD | JMSL10130PUD | JMSL10130AY | JMSL10130AUD | JMSL10130APD | JMSL10130AP | JMSL10130AM | JMSL10130AL | JMSL10130AK | JMSL10130AGD | JMSL1009PUN | JMSL1009PP | JMSL1009PK | JMSL1009PG | JMSL1009PF
Popular searches
d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107