NVJD4158C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVJD4158C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для NVJD4158C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVJD4158C даташит

 ..1. Size:82K  onsemi
 nvjd4158c.pdf pdf_icon

NVJD4158C

NTJD4158C, NVJD4158C Small Signal MOSFET 30 V/-20 V, +0.25/-0.88 A, Complementary, SC-88 Features Leading 20 V Trench for Low RDS(on) Performance www.onsemi.com ESD Protected Gate SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm) V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1.0 W @ 4.5 V N-Ch Site and Control Change Require

 ..2. Size:142K  onsemi
 ntjd4158c nvjd4158c.pdf pdf_icon

NVJD4158C

NTJD4158C, NVJD4158C MOSFET Small Signal, Complementary, SC-88 30 V/-20 V, +0.25/-0.88 A Features www.onsemi.com Leading 20 V Trench for Low RDS(on) Performance ESD Protected Gate V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm) 1.0 W @ 4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique N-Ch 0.25 A 30 V Site and Cont

 7.1. Size:126K  onsemi
 ntjd4152p nvjd4152p.pdf pdf_icon

NVJD4158C

NTJD4152P, NVJD4152P MOSFET Dual, P-Channel, Trench Small Signal, ESD Protected, SC-88 20 V, 0.88 A Features www.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Performance Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent) V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max ESD Protected Gate 215 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique -20 V Site an

 7.2. Size:65K  onsemi
 nvjd4152p.pdf pdf_icon

NVJD4158C

NTJD4152P, NVJD4152P Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88 Features Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Performance www.onsemi.com Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent) ESD Protected Gate V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 215 mW @ -4.5 V Site and Control Ch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVGS3130N, NVGS3136P, NVGS3441, NVGS3443, NVGS4111P, NVGS4141N, NVGS5120P, NVJD4152P, AO3400, NVJD4401N, NVJD5121N, NVJS3151P, NVJS4151P, NVJS4405N, NVLJD4007NZ, NVLUS4C12N, NVMD3P03