NVTFS4C10N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVTFS4C10N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 574 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0074 Ohm

Тип корпуса: WDFN8

Аналог (замена) для NVTFS4C10N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVTFS4C10N даташит

 ..1. Size:78K  onsemi
 nvtfs4c10n.pdf pdf_icon

NVTFS4C10N

NVTFS4C10N Power MOSFET 30 V, 7.4 mW, 47 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS4C10NWF - Wettable Flanks Product NVT Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 7.4 mW @ 1

 6.1. Size:80K  onsemi
 nvtfs4c13n.pdf pdf_icon

NVTFS4C10N

NVTFS4C13N Power MOSFET 30 V, 9.4 mW, 40 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses NVTFS4C13NWF - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVT Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 9.4 mW @ 1

 7.1. Size:82K  onsemi
 nvtfs4c25n.pdf pdf_icon

NVTFS4C10N

NVTFS4C25N Power MOSFET 30 V, 17 mW, 22 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS4C25NWF - Wettable Flanks Product 17 mW @ 10 V NVT Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

 7.2. Size:81K  onsemi
 nvtfs4c06n.pdf pdf_icon

NVTFS4C10N

NVTFS4C06N Power MOSFET 30 V, 4.2 mW, 71 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses NVTFS4C06NWF - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVT Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 4.2 mW @ 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVR4501N, NVR5198NL, NVS4001N, NVS4409N, NVTA7002N, NVTFS4C05N, NVTFS4C06N, NVTFS4C08N, AO3407, NVTFS4C13N, NVTFS4C25N, NVTFS5124PL, NVTJD4001N, NVTR01P02L, NVTR0202PL, NVTR4502P, NVTR4503N