PH2530AL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PH2530AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
Тип корпуса: LFPAK
Аналог (замена) для PH2530AL
PH2530AL Datasheet (PDF)
ph2530al.pdf
PH2530ALN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 05 14 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications.1.2 Features and benefits High efficiency due
ph2530al.pdf
PH2530ALN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 05 14 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications.1.2 Features and benefits High efficiency due
Другие MOSFET... PH16030L , PH1730AL , PH1825AL , PH1875L , PH1930AL , PH1955L , PH20100S , PH2525L , IRFP250N , PH2625L , PH3030AL , PH3230S , PH3330L , PH3430AL , PH3830L , PH3855L , PH4025L .
History: 1115
History: 1115
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l