Справочник MOSFET. PH2530AL

 

PH2530AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PH2530AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
 

 Аналог (замена) для PH2530AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH2530AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  philips
 ph2530al.pdf pdf_icon

PH2530AL

PH2530ALN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 05 14 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications.1.2 Features and benefits High efficiency due

 ..2. Size:230K  nxp
 ph2530al.pdf pdf_icon

PH2530AL

PH2530ALN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 05 14 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications.1.2 Features and benefits High efficiency due

Другие MOSFET... PH16030L , PH1730AL , PH1825AL , PH1875L , PH1930AL , PH1955L , PH20100S , PH2525L , IRF9540 , PH2625L , PH3030AL , PH3230S , PH3330L , PH3430AL , PH3830L , PH3855L , PH4025L .

History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | AD8N60S | FDS5170N7 | SIHFBE20

 

 
Back to Top

 


 
.