QJD1210007 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: QJD1210007
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 880 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для QJD1210007
QJD1210007 Datasheet (PDF)
qjd1210007.pdf

QJD1210007 PreliminaryPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Silicon Carbide www.pwrx.comMOSFET Module100 Amperes/1200 VoltsADY K K K YFUHS1D2 S2 D1UJ E BUHZABM ADUACAADescription:GQQ Q P NPowerex Silicon Carbide MOSFET S - NUTS (3 TYP) Modules are designed for use in T - (4 TYP)high frequency ap
qjd1210006.pdf

QJD1210006 PreliminaryPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Silicon Carbide www.pwrx.comMOSFET Module100 Amperes/1200 VoltsADY K K K YFUHS1D2 S2 D1UJ E BUHZABM ADUACAADescription:GQQ Q P NPowerex Silicon Carbide MOSFET S - NUTS (3 TYP) Modules are designed for use in T - (4 TYP)high frequency ap
qjd1210011.pdf

QJD1210011 PreliminaryPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Split Dual SiC www.pwrx.comMOSFET Module100 Amperes/1200 VoltsY AAA DACABF Z Q DETAIL "B"Q Q P U Description:1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12Powerex Silicon Carbide MOSFET X Modules are designed for use in Bhigh frequency applications. Each MN E mo
qjd1210010.pdf

QJD1210010 PreliminaryPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Split Dual SiC www.pwrx.comMOSFET Module100 Amperes/1200 VoltsY AAA DACABF Z Q DETAIL "B"Q Q P U Description:1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12Powerex Silicon Carbide MOSFET X Modules are designed for use in Bhigh frequency applications. Each MN E mo
Другие MOSFET... PJ2306 , PJ4N3KDW , QH8KA1 , QH8KA2 , QH8MA2 , QH8MA3 , QH8MA4 , QJD1210006 , CS150N03A8 , QJD1210010 , QJD1210011 , QM0004D , QM0004G , QM0004P , QM0004S , QM0004U , QM0006G .
History: CJ3139KDW | F5043 | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | APM4012NU
History: CJ3139KDW | F5043 | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | APM4012NU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102