QJD1210010 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: QJD1210010
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1080 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 13.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: MODULE
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
QJD1210010 Datasheet (PDF)
qjd1210010.pdf

QJD1210010 PreliminaryPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Split Dual SiC www.pwrx.comMOSFET Module100 Amperes/1200 VoltsY AAA DACABF Z Q DETAIL "B"Q Q P U Description:1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12Powerex Silicon Carbide MOSFET X Modules are designed for use in Bhigh frequency applications. Each MN E mo
qjd1210011.pdf

QJD1210011 PreliminaryPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Split Dual SiC www.pwrx.comMOSFET Module100 Amperes/1200 VoltsY AAA DACABF Z Q DETAIL "B"Q Q P U Description:1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12Powerex Silicon Carbide MOSFET X Modules are designed for use in Bhigh frequency applications. Each MN E mo
qjd1210007.pdf

QJD1210007 PreliminaryPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Silicon Carbide www.pwrx.comMOSFET Module100 Amperes/1200 VoltsADY K K K YFUHS1D2 S2 D1UJ E BUHZABM ADUACAADescription:GQQ Q P NPowerex Silicon Carbide MOSFET S - NUTS (3 TYP) Modules are designed for use in T - (4 TYP)high frequency ap
qjd1210006.pdf

QJD1210006 PreliminaryPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Silicon Carbide www.pwrx.comMOSFET Module100 Amperes/1200 VoltsADY K K K YFUHS1D2 S2 D1UJ E BUHZABM ADUACAADescription:GQQ Q P NPowerex Silicon Carbide MOSFET S - NUTS (3 TYP) Modules are designed for use in T - (4 TYP)high frequency ap
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IRF241 | NCE70T180D
History: IRF241 | NCE70T180D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g