QJD1210010 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: QJD1210010
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1080 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для QJD1210010
QJD1210010 Datasheet (PDF)
qjd1210010.pdf

QJD1210010 PreliminaryPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Split Dual SiC www.pwrx.comMOSFET Module100 Amperes/1200 VoltsY AAA DACABF Z Q DETAIL "B"Q Q P U Description:1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12Powerex Silicon Carbide MOSFET X Modules are designed for use in Bhigh frequency applications. Each MN E mo
qjd1210011.pdf

QJD1210011 PreliminaryPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Split Dual SiC www.pwrx.comMOSFET Module100 Amperes/1200 VoltsY AAA DACABF Z Q DETAIL "B"Q Q P U Description:1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12Powerex Silicon Carbide MOSFET X Modules are designed for use in Bhigh frequency applications. Each MN E mo
qjd1210007.pdf

QJD1210007 PreliminaryPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Silicon Carbide www.pwrx.comMOSFET Module100 Amperes/1200 VoltsADY K K K YFUHS1D2 S2 D1UJ E BUHZABM ADUACAADescription:GQQ Q P NPowerex Silicon Carbide MOSFET S - NUTS (3 TYP) Modules are designed for use in T - (4 TYP)high frequency ap
qjd1210006.pdf

QJD1210006 PreliminaryPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Silicon Carbide www.pwrx.comMOSFET Module100 Amperes/1200 VoltsADY K K K YFUHS1D2 S2 D1UJ E BUHZABM ADUACAADescription:GQQ Q P NPowerex Silicon Carbide MOSFET S - NUTS (3 TYP) Modules are designed for use in T - (4 TYP)high frequency ap
Другие MOSFET... PJ4N3KDW , QH8KA1 , QH8KA2 , QH8MA2 , QH8MA3 , QH8MA4 , QJD1210006 , QJD1210007 , NCEP15T14 , QJD1210011 , QM0004D , QM0004G , QM0004P , QM0004S , QM0004U , QM0006G , QM0007G .
History: MTP2611V8 | HTJ600N06 | HTJ850P03 | HTJ650P02 | IRF7704PBF | IRF5M4905 | CEB110P03
History: MTP2611V8 | HTJ600N06 | HTJ850P03 | HTJ650P02 | IRF7704PBF | IRF5M4905 | CEB110P03



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g