QM2608N8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: QM2608N8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
Тип корпуса: DFN3X2
QM2608N8 Datasheet (PDF)
qm2608n8.pdf

QM2608N8 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM2608N8 is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 48m 3.8Acharge for most of the small power switching and -20V 70m -3.4Aload switch applications. The QM2608N8 meet the RoHS and G
qm2605s.pdf

QM2605S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM2605S is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 42m 4.6Acharge for most of the small power switching and -20V 130m -2.8Aload switch applications. The QM2605S meet the RoHS and Gr
qm2605v.pdf

QM2605V N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM2605V is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 48m 3.8Acharge for most of the small power switching and -20V 130m -2.5Aload switch applications. The QM2605V meet the RoHS and Gr
qm2601s.pdf

QM2601S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM2601S is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 18m 7.2Acharge for most of the small power switching and -20V 50m -4.5Aload switch applications. The QM2601S meet the RoHS and Gree
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l