Справочник MOSFET. PHT6N06LT

 

PHT6N06LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHT6N06LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 13 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для PHT6N06LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHT6N06LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  philips
 pht6n06lt 2.pdf pdf_icon

PHT6N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT6N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 5.5 AThe device features very low Dr

 7.1. Size:58K  philips
 pht6n06t 1.pdf pdf_icon

PHT6N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT6N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 5.5 AUsing trench technology

 8.1. Size:57K  philips
 pht6n03t 2.pdf pdf_icon

PHT6N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT6N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 12.8 Atrench techno

 8.2. Size:43K  philips
 pht6n03lt 3.pdf pdf_icon

PHT6N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT6N03LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 30 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 5.9 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 30 m (VGS = 5 V)g Surface mounting packageRDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WSP6024

 

 
Back to Top

 


 
.