RFP12N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RFP12N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для RFP12N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP12N20 даташит

 ..1. Size:68K  njs
 rfm12n18 rfm12n20 rfp12n18 rfp12n20.pdf pdf_icon

RFP12N20

 8.1. Size:215K  fairchild semi
 rfd12n06rle rfd12n06rlesm rfp12n06rle.pdf pdf_icon

RFP12N20

RFD12N06RLE, RFD12N06RLESM, RFP12N06RLE Data Sheet January 2002 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.063 , VGS = 10V DRAIN DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.071 , VGS = 5V (FLANGE) GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensate

 8.2. Size:131K  fairchild semi
 rfp12n10l.pdf pdf_icon

RFP12N20

RFP12N10L Data Sheet April 2005 12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFET 12A, 100V These are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.200 power field effect transistors specifically designed for use Design Optimized for 5V Gate Drives with logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, automotiv

 8.3. Size:95K  njs
 rfm12n08l rfm12n10l rfp12n08l.pdf pdf_icon

RFP12N20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RFM8P08, RFM8P10, RFP10N12, RFP10N15, RFP12N08, RFP12N08L, RFP12N10, RFP12N18, IRF1010E, RFP15N12, RFP15N15, RFP2N08, RFP2N10, RFP5P12, RFP5P15, RFP8P08, RHK003N06FRA