Справочник MOSFET. RHU003N03FRA

 

RHU003N03FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RHU003N03FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: UMT3
 

 Аналог (замена) для RHU003N03FRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RHU003N03FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  rohm
rhu003n03fra.pdfpdf_icon

RHU003N03FRA

RHU003N03FRARHU003N03TransistorsAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOS FET RHU003N03FRARHU003N03 Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET UMT32.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateSwitching Abbreviated symbol : MN

 5.1. Size:48K  rohm
rhu003n03.pdfpdf_icon

RHU003N03FRA

RHU003N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHU003N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateSwitching Abbreviated symbol : MN(3) Drain Packaging specifications Inn

 9.1. Size:60K  rohm
rhu002n06.pdfpdf_icon

RHU003N03FRA

RHU002N06 Transistors Switching (60V, 200mA) RHU002N06 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. 2) High ESD. 3) High-speed switching. 4) Low-voltage drive (4V). 1.255) Easily designed drive circuits. 2.16) Easy to use in parallel. 0.1Min.Each lead has same dimensions Structure Silicon N-channel Abbreviated symbol : KPMOSFET transisto

 9.2. Size:1034K  rohm
rhu002n06fra.pdfpdf_icon

RHU003N03FRA

AEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFETRHU002N06FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channelUMT3MOSFET transistor2.0 0.90.3 0.2 0.7(3)Features 1) Low on-resistance. (2) (1)2) High ESD. 0.65 0.653) High-speed switching. 0.151.34) Low-voltage drive (4V). (1) SourceEach lead has same dimensions5) Drive circuits can be simple. (2) GateAbb

Другие MOSFET... RHK003N06T146 , RHK005N03FRA , RHK005N03T146 , RHP020N06T100 , RHP030N03T100 , RHU002N06 , RHU002N06FRA , RHU003N03 , 13N50 , RJJ0601JPE , RJJ0601JPN , RJK005N03FRA , RJK005N03T146 , RJK0323JPD , RJK0329DPB-00 , RJK0329DPB-01 , RJK0331DPB-00 .

History: NVTR0202PL | GP1M018A020XX | LSD60R1K4HT | IPD50N10S3L-16 | HTS210C03 | AO4718 | AP70SL380AI

 

 
Back to Top

 


 
.