PHX3N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHX3N60E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.4 Ohm
Тип корпуса: SOT186A
PHX3N60E Datasheet (PDF)
phx3n60e.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX3N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.7 Ag Isolated packageRDS(ON) 4.4 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enh
phx3n50e.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX3N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.1 Ag Isolated packageRDS(ON) 3 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enhan
phx3n40e 3.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX3N40E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.7 Ag Isolated packageRDS(ON) 3.5 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enh
Другие MOSFET... PHW7N60E , PHW8N50E , PHW8ND50E , PHW9N60E , PHX2N50E , PHX2N60E , PHX3N40E , PHX3N50E , IRFZ44 , PHX4N60E , PHX4ND40E , PHX6N60E , PHX6NA60E , PHX6ND50E , PHX7N60E , PHX8N50E , PHX8ND50E .
