PHX3N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHX3N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm

Тип корпуса: SOT186A

Аналог (замена) для PHX3N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHX3N60E даташит

 ..1. Size:73K  philips
 phx3n60e.pdf pdf_icon

PHX3N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX3N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.7 A g Isolated package RDS(ON) 4.4 s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186A N-channel, enh

 9.1. Size:72K  philips
 phx3n50e.pdf pdf_icon

PHX3N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX3N50E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.1 A g Isolated package RDS(ON) 3 s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186A N-channel, enhan

 9.2. Size:63K  philips
 phx3n40e 3.pdf pdf_icon

PHX3N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX3N40E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.7 A g Isolated package RDS(ON) 3.5 s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186A N-channel, enh

Другие IGBT... PHW7N60E, PHW8N50E, PHW8ND50E, PHW9N60E, PHX2N50E, PHX2N60E, PHX3N40E, PHX3N50E, IRF1404, PHX4N60E, PHX4ND40E, PHX6N60E, PHX6NA60E, PHX6ND50E, PHX7N60E, PHX8N50E, PHX8ND50E