RJK5032DPD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RJK5032DPD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: MP-3A

Аналог (замена) для RJK5032DPD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK5032DPD даташит

 ..1. Size:79K  renesas
 rjk5032dpd.pdf pdf_icon

RJK5032DPD

Preliminary Datasheet RJK5032DPD R07DS0836EJ0200 500V - 3A - MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Aug 08, 2012 Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.1 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low drive current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZG-A D (Package name MP-3A) 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source

 5.1. Size:89K  renesas
 rjk5032dph-e0.pdf pdf_icon

RJK5032DPD

Preliminary Datasheet RJK5032DPH-E0 R07DS1039EJ0100 500V - 3A - MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Mar 15, 2013 Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.1 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low drive current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZJ-B (Package name TO-251) D 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source

 8.1. Size:94K  renesas
 r07ds0417ej rjk5031dpd.pdf pdf_icon

RJK5032DPD

Preliminary Datasheet RJK5031DPD R07DS0417EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching May 23, 2011 Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZG-A D (Package name MP-3A) 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source 1 2 4. Drain 3 S

 8.2. Size:70K  renesas
 r07ds0179ej rjk5033dpd.pdf pdf_icon

RJK5032DPD

Preliminary Datasheet RJK5033DPD R07DS0179EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Oct 05, 2010 Features Low on-state resistance RDS(on) = 0.96 typ. (ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZG-A D (Package name MP-3A) 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source 1 2 4. Drain 3 S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJK4512DPP-E0, RJK4532DPD, RJK4532DPH-E0, RJK5002DJE, RJK5002DPD, RJK5013DPP-E0, RJK5014DPP, RJK5014DPP-E0, IRF630, RJK5032DPH-E0, RJK6002DJE, RJK6002DPH-E0, RJK6013DPP-E0, RJK6024DP3-A0, RJK6025DPH-E0, RJK6032DPH-E0, RJK6036DP3-A0