RJU003N03T106. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RJU003N03T106

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: UMT3

Аналог (замена) для RJU003N03T106

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJU003N03T106 даташит

 ..1. Size:216K  rohm
 rju003n03t106.pdf pdf_icon

RJU003N03T106

2.5V Drive Nch MOSFET RJU003N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Abbreviated symbol LP Switching (3) Drain Packaging specifications and hFE Inner circu

 5.1. Size:1021K  rohm
 rju003n03fra.pdf pdf_icon

RJU003N03T106

AEC-Q101 Qualified 2.5V Drive Nch MOSFET RJU003N03 RJU003N03FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Abbreviated symbol LP Switching (3) Drain Packaging sp

 9.1. Size:41K  rohm
 rju002n06t106.pdf pdf_icon

RJU003N03T106

RJU002N06 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RJU002N06 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol ML (3) Drain Packa

 9.2. Size:1020K  rohm
 rju002n06fra.pdf pdf_icon

RJU003N03T106

AEC-Q101 Qualified 2.5V Drive Nch MOSFET RJU002N06 RJU002N06FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Abbreviated symbol ML Switching (3) Drain Packaging s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJL6013DPP, RJL6014DPP, RJM0404JSC, RJM0603JSC, RJP020N06T100, RJU002N06FRA, RJU002N06T106, RJU003N03FRA, IRFB3607, RK3055ETL, RK7002AT116, RK7002BM, RK7002BT116, RK7002T116, RND030N20, RP1A090ZPTR, RP1E050RPTR