Справочник MOSFET. RJU003N03T106

 

RJU003N03T106 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJU003N03T106
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: UMT3
 

 Аналог (замена) для RJU003N03T106

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJU003N03T106 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  rohm
 rju003n03t106.pdf pdf_icon

RJU003N03T106

2.5V Drive Nch MOSFET RJU003N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET UMT32.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateAbbreviated symbol : LPSwitching (3) Drain Packaging specifications and hFE Inner circu

 5.1. Size:1021K  rohm
 rju003n03fra.pdf pdf_icon

RJU003N03T106

AEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOSFET RJU003N03 RJU003N03FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET UMT32.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateAbbreviated symbol : LPSwitching (3) Drain Packaging sp

 9.1. Size:41K  rohm
 rju002n06t106.pdf pdf_icon

RJU003N03T106

RJU002N06 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RJU002N06 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateSwitching Abbreviated symbol : ML(3) Drain Packa

 9.2. Size:1020K  rohm
 rju002n06fra.pdf pdf_icon

RJU003N03T106

AEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOSFET RJU002N06 RJU002N06FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET UMT32.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateAbbreviated symbol : MLSwitching (3) Drain Packaging s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RJL6013DPP , RJL6014DPP , RJM0404JSC , RJM0603JSC , RJP020N06T100 , RJU002N06FRA , RJU002N06T106 , RJU003N03FRA , AON7506 , RK3055ETL , RK7002AT116 , RK7002BM , RK7002BT116 , RK7002T116 , RND030N20 , RP1A090ZPTR , RP1E050RPTR .

History: PMV15ENEA | TSJ10N10AT | BUK9628-55A | HUF76629D3ST | NCE0160AG | 6N65KL-TMS4-T

 

 
Back to Top

 


 
.