Справочник MOSFET. RK7002T116

 

RK7002T116 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RK7002T116
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RK7002T116 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  rohm
rk7002t116.pdfpdf_icon

RK7002T116

TransistorsInterface and switching(60V, 115mA)RK7002FFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Low-voltage drive.4) Easily designed drive circuits.5) Easy to parallel.FStructureSilicon N-channel MOSFETFAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FEquivalent circuit186Transistors RK7002FElectrical characteristics (Ta = 25_C

 8.1. Size:212K  rohm
rk7002bt116.pdfpdf_icon

RK7002T116

2.5V Drive Nch MOSFET RK7002B Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SST3Features1) High speed switing.2) Small package(SST3).3) Low voltage drive(2.5V drive).Abbreviated symbol : RKT ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T116Basic ordering unit (pieces) 3000RK7002B

 8.2. Size:233K  rohm
rk7002b.pdfpdf_icon

RK7002T116

2.5V Drive Nch MOSFET RK7002B Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SST3Features1) High speed switing.2) Small package(SST3).3) Low voltage drive(2.5V drive).Abbreviated symbol : RKT ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T116Basic ordering unit (pieces) 3000RK7002B

 8.3. Size:1623K  rohm
rk7002bmhzg.pdfpdf_icon

RK7002T116

RK7002BMHZGDatasheetNch 60V 250mA Small Signal MOSFETAEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-23VDSS60V SST3RDS(on)(Max.)2.4ID250mAPD350mW lInner circuitllFeaturesl1) Very fast switching2) Ultra low voltage drive (2.5V drive)3) ESD protection up to 2kV (HBM)4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.5)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDMS7602S | SPD04N60C3 | PNMET20V06E | FDC654P | 2SK1501 | WMN08N80M3 | OSG55R074HSZF

 

 
Back to Top

 


 
.