Справочник MOSFET. RQ5H020SP

 

RQ5H020SP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RQ5H020SP

Маркировка: FB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.54 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 45 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 4.5 nC

Время нарастания (tr): 10 ns

Выходная емкость (Cd): 80 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm

Тип корпуса: TSMT3

Аналог (замена) для RQ5H020SP

 

 

RQ5H020SP Datasheet (PDF)

1.1. rq5h020sp.pdf Size:769K _update_mosfet

RQ5H020SP
RQ5H020SP

RQ5H020SP Pch -45V -2.0A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS -45V TSMT3 (3) RDS(on) (Max.) 190mW (1) ID -2.0A PD 1.0W (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) Gate (2) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). (3) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE lPackagi

1.2. rq5h020sp.pdf Size:769K _rohm

RQ5H020SP
RQ5H020SP

RQ5H020SP Pch -45V -2.0A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS -45V TSMT3 (3) RDS(on) (Max.) 190mW (1) ID -2.0A PD 1.0W (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) Gate (2) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). (3) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE lPackagi

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top