RQ5H020SP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ5H020SP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TSMT3

Аналог (замена) для RQ5H020SP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ5H020SP даташит

 ..1. Size:769K  rohm
 rq5h020sp.pdf pdf_icon

RQ5H020SP

RQ5H020SP Pch -45V -2.0A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS -45V TSMT3 (3) RDS(on) (Max.) 190mW (1) ID -2.0A PD 1.0W (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) Gate (2) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). (3) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE lPackagi

Другие IGBT... RQ3G100GN, RQ3L050GN, RQ5A030AP, RQ5E025AT, RQ5E030AJ, RQ5E035AT, RQ5E035BN, RQ5E040AJ, IRF9640, RQ5L015SP, RQ6C050UN, RQ6E030AT, RQ6E035AT, RQ6E045BN, RQ6E050AT, RQ6E055BN, RQ6P015SP