Справочник MOSFET. RQ5H020SP

 

RQ5H020SP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQ5H020SP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
 

 Аналог (замена) для RQ5H020SP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ5H020SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:769K  rohm
 rq5h020sp.pdf pdf_icon

RQ5H020SP

RQ5H020SP Pch -45V -2.0A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS-45VTSMT3 (3) RDS(on) (Max.)190mW(1) ID-2.0APD1.0W(2) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) Gate (2) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT3).(3) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE lPackagi

Другие MOSFET... RQ3G100GN , RQ3L050GN , RQ5A030AP , RQ5E025AT , RQ5E030AJ , RQ5E035AT , RQ5E035BN , RQ5E040AJ , AON7403 , RQ5L015SP , RQ6C050UN , RQ6E030AT , RQ6E035AT , RQ6E045BN , RQ6E050AT , RQ6E055BN , RQ6P015SP .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.