RTQ030P02TR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTQ030P02TR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для RTQ030P02TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTQ030P02TR даташит

 ..1. Size:95K  rohm
 rtq030p02tr.pdf pdf_icon

RTQ030P02TR

RTQ030P02 Transistor DC-DC Converter (-20V, -3.0A) RTQ030P02 External dimensions (Units mm) Features 1) Low On-resistance.(110m at 2.5V) 2) High Power Package. TSMT6 2.8 3) High speed switching. 1.6 4) Low voltage drive.(2.5V) Each lead has same dimensions Abbreviatedsymbol TS Applications DC-DC converter Equivalent circuit Structure Silicon P-channe

 9.1. Size:53K  rohm
 rtq035n03tr.pdf pdf_icon

RTQ030P02TR

RTQ035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ035N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 3) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions

 9.2. Size:55K  rohm
 rtq035n03.pdf pdf_icon

RTQ030P02TR

RTQ035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ035N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 3) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions

 9.3. Size:1036K  rohm
 rtq035p02fha.pdf pdf_icon

RTQ030P02TR

RTQ035P02FHA RTQ035P02 Transistor AEC-Q101 Qualified 2.5V Drive Pch MOS FET RTQ035P02FHA RTQ035P02 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance.(80m at 2.5V) 2) High Power Package. 0 0.1 (1) (2) (3) 3) High speed switching. 1pin mark 4) Low voltage drive.(2.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RTL035N03TR, RTM002P02T2L, RTP315N10F7, RTQ020N03FRA, RTQ020N03TR, RTQ020N05TR, RTQ025P02FRA, RTQ025P02TR, IRF1010E, RTQ035N03FRA, RTQ035N03TR, RTQ035P02FHA, RTQ035P02TR, RTQ040P02TR, RTQ045N03FRA, RTQ045N03TR, RTR020N05FRA