SIR401DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIR401DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 29 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 205 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 1120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0032 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SIR401DP Datasheet (PDF)
sir401dp.pdf
New ProductSiR401DPVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 DefinitionVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0032 at VGS = - 10 V - 50 100% Rg and UIS Tested- 20 0.0042 at VGS = - 4.5 V - 50 97 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0077 at VGS = -
sir408dp.pdf
SiR408DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0063 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET50a25 9.3 nC 100 % Rg Tested0.008 at VGS = 4.5 V 50a 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIO
sir402dp.pdf
SiR402DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.006 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET3530 12 nC 100 % Rg Tested0.008 at VGS = 4.5 V 35 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONSS
sir404dp.pdf
New ProductSiR404DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.00160 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Gen III Power MOSFET0.00175 at VGS = 4.5 V 20 60 64.5 nC 100 % Rg Tested0.00225 at VGS = 2.5 V 60 100 % UIS Tested 2.5 V and 3.
sir406dp.pdf
New ProductSiR406DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition 0.0038 at VGS = 10 V 40g TrenchFET Gen III Power MOSFET25 15.8 nC0.0048 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested40g 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/9
sir403edp.pdf
New ProductSiR403EDPVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Extended VGS range ( 25 V) for adaptor switchapplicationsVDS (V) RDS(on) () Max.IDa, e Qg (Typ.) Extremely low RDS(on)0.0065 at VGS = - 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS Tested0.0082 at VGS = - 6 V - 40 66 nC- 30 Typical ESD Performan
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
