SIRA14DP - аналоги и даташиты транзистора

 

SIRA14DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIRA14DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIRA14DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA14DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  vishay
 sira14dp.pdf pdf_icon

SIRA14DP

New ProductSiRA14DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00510 at VGS = 10 V Material categorization:2030 9.4 nCFor definitions of compliance please see0.00850 at VGS = 4.5 V 20www.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8

 8.1. Size:240K  vishay
 sira14bdp.pdf pdf_icon

SIRA14DP

SiRA14BDPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 100 % Rg and UIS testedD 65 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 SDAPPLICATIONS3 S4 S1 High power density DC/DCGTop View Bottom View Syn

 9.1. Size:418K  vishay
 sira10bdp.pdf pdf_icon

SIRA14DP

SiRA10BDPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 100 % Rg and UIS testedD 65 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 SAPPLICATIONSD3 S4 S1 High power density DC/DCGTop View Bottom View Syn

 9.2. Size:199K  vishay
 sira12dp.pdf pdf_icon

SIRA14DP

New ProductSiRA12DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition TrenchFET Gen IV Power MOSFET0.0043 at VGS = 10 V 2530 13.6 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0060 at VGS = 4.5 V 25 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICAT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIR890DP , SIR892DP , SIRA00DP , SIRA02DP , SIRA04DP , SIRA06DP , SIRA10DP , SIRA12DP , HY1906P , SIRA18DP , APT1001R6BFLLG , APT1001R6SFLLG , APT1001RSVFR , APT1001RSVRG , APT10026L2FLLG , APT1002R4BNR , APT1002RBNR .

History: AP02N70EI-HF | UPA2210T1M

 

 
Back to Top

 


 
.