Справочник MOSFET. APT10040B2VFRG

 

APT10040B2VFRG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT10040B2VFRG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для APT10040B2VFRG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT10040B2VFRG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  apt
 apt10040b2vfrg apt10040lvfrg.pdf pdf_icon

APT10040B2VFRG

APT10040B2VFRAPT10040LVFR1000V 25A 0.400WB2VFRFREDFETPOWER MOS VT-MAXPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.LVFR Identica

 1.1. Size:39K  apt
 apt10040b2vfr.pdf pdf_icon

APT10040B2VFRG

APT10040B2VFRAPT10040LVFR1000V 25A 0.400WB2VFRPOWER MOS V FREDFETT-MAXPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.LVFR Identical

 3.1. Size:37K  apt
 apt10040b2vr.pdf pdf_icon

APT10040B2VFRG

APT10040B2VRAPT10040LVR1000V 25A 0.400WB2VRPOWER MOS VT-MAXPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.LVR Identical Specificati

 6.1. Size:75K  apt
 apt10040lvr.pdf pdf_icon

APT10040B2VFRG

APT10040B2VRAPT10040LVR1000V 25A 0.400WB2VRPOWER MOS VT-MAXPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.LVR Identical Specificati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APT10035LFLLG , APT10035LLLG , APT1003RBFLLG , APT1003RBLLG , APT1003RKFLLG , APT1003RKLLG , APT1003RSFLLG , APT1003RSLLG , IRF630 , APT10040LVFRG , APT10040LVR , APT10045B2FLLG , APT10045B2LLG , APT10045LFLLG , APT10045LLLG , APT1004RBNR , APT10050B2VFRG .

History: IPP80N06S2-05

 

 
Back to Top

 


 
.