APT11N80BC3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT11N80BC3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для APT11N80BC3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT11N80BC3G даташит

 ..1. Size:158K  apt
 apt11n80bc3g.pdf pdf_icon

APT11N80BC3G

APT11N80BC3 800V 11A 0.45 Super Junction MOSFET TO-247 COOLMOS Power Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller Capacitance D Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated G TO-247 Package S MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT11N80BC3 UNIT VDSS Drain-Source Voltage 800 Volts ID

 ..2. Size:376K  inchange semiconductor
 apt11n80bc3g.pdf pdf_icon

APT11N80BC3G

isc N-Channel MOSFET Transistor APT11N80BC3G FEATURES Drain Current I =11A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =800V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.45 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

 3.1. Size:157K  apt
 apt11n80bc3.pdf pdf_icon

APT11N80BC3G

APT11N80BC3 800V 11A 0.45 Super Junction MOSFET TO-247 COOLMOS Power Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller Capacitance D Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated G TO-247 Package S MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT11N80BC3 UNIT VDSS Drain-Source Voltage 800 Volts ID

 6.1. Size:157K  apt
 apt11n80kc3.pdf pdf_icon

APT11N80BC3G

APT11N80KC3 800V 11A 0.450 Super Junction MOSFET TO-220 COOLMOS Power Semiconductors Ultra low RDS(ON) G D S Low Miller Capacitance D Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated G TO-220 Package S MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT11N80KC3 UNIT VDSS Drain-Source Voltage 800

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT10M11JVFR, APT10M11LVFRG, APT10M19BVFRG, APT10M19BVRG, APT10M19SVFR, APT10M19SVFRG, APT11F80B, APT11F80S, 5N65, APT11N80KC3G, APT1201R2BFLLG, APT1201R2SFLLG, APT1201R4BFLL, APT1201R4SFLL, APT1201R5BVFRG, APT1201R5SVFRG, APT1201R6BVFRG