Справочник MOSFET. APT11N80BC3G

 

APT11N80BC3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT11N80BC3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для APT11N80BC3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT11N80BC3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  apt
 apt11n80bc3g.pdf pdf_icon

APT11N80BC3G

APT11N80BC3800V 11A 0.45Super Junction MOSFETTO-247COOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller CapacitanceD Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy RatedG TO-247 PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT11N80BC3 UNITVDSS Drain-Source Voltage800 VoltsID

 ..2. Size:376K  inchange semiconductor
 apt11n80bc3g.pdf pdf_icon

APT11N80BC3G

isc N-Channel MOSFET Transistor APT11N80BC3GFEATURESDrain Current I =11A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.45(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

 3.1. Size:157K  apt
 apt11n80bc3.pdf pdf_icon

APT11N80BC3G

APT11N80BC3800V 11A 0.45Super Junction MOSFETTO-247COOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller CapacitanceD Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy RatedG TO-247 PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT11N80BC3 UNITVDSS Drain-Source Voltage800 VoltsID

 6.1. Size:157K  apt
 apt11n80kc3.pdf pdf_icon

APT11N80BC3G

APT11N80KC3800V 11A 0.450Super Junction MOSFETTO-220COOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON)GDS Low Miller CapacitanceD Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy RatedG TO-220 PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT11N80KC3 UNITVDSS Drain-Source Voltage800

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APT10M11JVFR , APT10M11LVFRG , APT10M19BVFRG , APT10M19BVRG , APT10M19SVFR , APT10M19SVFRG , APT11F80B , APT11F80S , 4435 , APT11N80KC3G , APT1201R2BFLLG , APT1201R2SFLLG , APT1201R4BFLL , APT1201R4SFLL , APT1201R5BVFRG , APT1201R5SVFRG , APT1201R6BVFRG .

History: SIHFB20N50K | PTP20N40B | 2SK2109

 

 
Back to Top

 


 
.