APT5014B2VFRG - описание и поиск аналогов

 

APT5014B2VFRG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT5014B2VFRG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 737 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для APT5014B2VFRG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT5014B2VFRG даташит

 ..1. Size:114K  apt
apt5014b2vfrg apt5014lvfrg.pdfpdf_icon

APT5014B2VFRG

APT5014B2VFR APT5014LVFR 500V 37A 0.140 B2VFR POWER MOS V FREDFET T-MAX TO-264 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 4.1. Size:55K  apt
apt5014b2vrg.pdfpdf_icon

APT5014B2VFRG

APT5014B2VR 500V 37A 0.140 POWER MOS V T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lo

 4.2. Size:62K  apt
apt5014b2vr.pdfpdf_icon

APT5014B2VFRG

APT5014B2VR 500V 37A 0.140 POWER MOS V T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lo

 5.1. Size:33K  apt
apt5014b2lc.pdfpdf_icon

APT5014B2VFRG

APT5014B2LC APT5014LLC 500V 37A 0.140W B2LC TM POWER MOS VI T-MAX Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage TO-264 N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is achieved by optimizing the manufacturing process to minimize Ciss and Crss. Lower gate charge coupled with Power MOS VITM optimized gate layout, LLC delivers exceptionally fast

Другие MOSFET... APT4F120K , APT4F120S , APT4M120K , APT5010B2FLLG , APT5010B2LLG , APT5010LFLLG , APT5010LLLG , APT5012JN , 10N65 , APT5014B2VRG , APT5014BFLLG , APT5014BLLG , APT5014LVFRG , APT5014SFLLG , APT5014SLLG , APT5015BVFRG , 2SK1982-01MR .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.