APT6015LVFRG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APT6015LVFRG  📄📄 

Тип транзистора: MOFETS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-264

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APT6015LVFRG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT6015LVFRG даташит

 ..1. Size:113K  apt
 apt6015b2vfrg apt6015lvfrg.pdf pdf_icon

APT6015LVFRG

APT6015B2VFR APT6015LVFR 600V 38A 0.150 B2VFR POWER MOS V FREDFET T-MAX TO-264 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 3.1. Size:59K  apt
 apt6015lvfr.pdf pdf_icon

APT6015LVFRG

APT6015LVFR 600V 38A 0.150W POWER MOS V FREDFET Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche Teste

 3.2. Size:255K  inchange semiconductor
 apt6015lvfr.pdf pdf_icon

APT6015LVFRG

isc N-Channel MOSFET Transistor APT6015LVFR FEATURES Drain Current I = 38A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.15 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

 5.1. Size:62K  apt
 apt6015lvr.pdf pdf_icon

APT6015LVFRG

APT6015LVR 600V 38A 0.150 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.. D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lowe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT6011B2VFRG, APT6011LVFRG, APT6013B2FLLG, APT6013B2LLG, APT6013LFLLG, APT6013LLLG, APT6015B2VFRG, APT6015JVFR, 12N60, APT6017B2FLLG, APT6017B2LLG, APT6017LFLLG, APT6017LLLG, APT6018JN, APT6021BFLLG, APT6021BLLG, APT6021SFLLG