APT6040SVR datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: APT6040SVR 📄📄
Тип транзистора: MOFETS
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: D3PAK
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для APT6040SVR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
APT6040SVR даташит
apt6040svr.pdf
APT6040BVR APT6040SVR 600V 16A 0.400 BVR POWER MOS V D3PAK TO-247 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V SVR also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D Fast
apt6040svfr.pdf
600V 16A 0.40 APT6040BVFR APT6040SVFR APT6040BVFRG*APT6040SVFRG* *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. BVFR POWER MOS V FREDFET D3PAK Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS
apt6040bn.pdf
D TO-247 G APT6040BN 600V 18.0A 0.40 S APT6045BN 600V 17.0A 0.45 POWER MOS IV N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT APT Symbol Parameter 6040BN 6045BN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 600 600 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 18 17 Amps IDM Pulsed Drain Current 1 72 68 V
apt6040bvfr.pdf
APT6040BVFR APT6040SVFR 600V 16A 0.400 BVFR POWER MOS V FREDFET D3PAK Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. SVFR
Другие IGBT... APT6033BN, APT6035BVFRG, APT6035SVFRG, APT6038BFLLG, APT6038BLLG, APT6038SFLLG, APT6038SLLG, APT6040SVFR, IRF730, APT6045BN, APT6045BVFRG, APT6045SVFRG, APT6060AN, APT6070AN, APT60M75JVFR, APT60M75L2FLLG, APT60M75L2LLG
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: SI7403BDN | HM70N90D | APT56M50L | IXFK64N60P | AGM30P35S | AGM204AP | IXFH21N50
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor






