RFD15P05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFD15P05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO251AA

Аналог (замена) для RFD15P05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFD15P05 даташит

 ..1. Size:805K  cn vbsemi
 rfd15p05.pdf pdf_icon

RFD15P05

RFD15P05 www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested 0.066 at VGS = - 10 V - 20 APPLICATIONS - 60 40 nC at VGS = - 4.5 V - 18 0.080 Load Switch TO-251 S G D P-Channel MOSFET G D S Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) Par

 0.1. Size:87K  intersil
 rfd15p05-sm rfp15p05.pdf pdf_icon

RFD15P05

RFD15P05, RFD15P05SM, RFP15P05 Data Sheet July 1999 File Number 2387.5 15A, 50V, 0.150 Ohm, P-Channel Power Features MOSFETs 15A, 50V These are P-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.150 the MegaFET process. This process which uses feature Temperature Compensating PSPICE Model sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilizatio

 0.2. Size:828K  cn vbsemi
 rfd15p05sm.pdf pdf_icon

RFD15P05

RFD15P05SM www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter Sy

 7.1. Size:87K  intersil
 rfd15p06-sm rfp15p06.pdf pdf_icon

RFD15P05

RFD15P06, RFD15P06SM, RFP15P06 Data Sheet July 1999 File Number 3988.3 15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power Features MOSFETs 15A, 60V These P-Channel power MOSFETs are manufactured using rDS(ON) = 0.150 the MegaFET process. This process which uses feature Temperature Compensating PSPICE Model sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilizatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RFD14N05, RFD14N05L, RFD14N05LSM, RFD14N05SM, RFD14N06L, RFD14N06LSM, RFD15N06LE, RFD15N06LESM, AOD4184A, RFD15P06, RFD15P06SM, RFD16N03L, RFD16N03LSM, RFD16N05, RFD16N05L, RFD16N05LSM, RFD16N05SM