CS60N06C4 - описание и поиск аналогов

 

CS60N06C4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS60N06C4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CS60N06C4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS60N06C4 даташит

 ..1. Size:687K  wuxi china
 cs60n06c4.pdf pdf_icon

CS60N06C4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS60N06 C4 General Description VDSS 60 V CS60N06 C4, the silicon N-channel Enhanced ID 55 A PD(TC=25 ) 150 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 8 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 7.1. Size:688K  crhj
 cs60n06 c4.pdf pdf_icon

CS60N06C4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS60N06 C4 General Description VDSS 60 V CS60N06 C4, the silicon N-channel Enhanced ID 55 A PD(TC=25 ) 150 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 8 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.1. Size:844K  blue-rocket-elect
 brcs60n02dp.pdf pdf_icon

CS60N06C4

 8.2. Size:195K  crhj
 cs60n04 a4.pdf pdf_icon

CS60N06C4

Silicon N-Channel Trench MOSFET R CS60N04 A4 General Description VDSS 40 V ID 60 A CS60N04A4,the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is PD(TC=25 ) 52 W obtained by advanced trench Technology which reduce RDS(ON)Typ 8.5 m the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switchi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2N5670 , 2SK2255-01MR , 7N10L-AA3 , 7N10G-AA3 , 7N10L-TN3 , 7N10G-TN3 , AO4466L , AOD4144 , 50N06 , EMB20P03V , FTW20N50A , HY1506P , HY1506I , HY1506B , JCS18N50WH , ME04N25 , ME04N25G .

History: APTM100A23SCTG | STD12NF06T4 | IRF3000PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.