RCJ120N20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RCJ120N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.325 Ohm
Тип корпуса: SC-83
Аналог (замена) для RCJ120N20
RCJ120N20 Datasheet (PDF)
rcj120n20.pdf
RCJ120N20 Nch 200V 12A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS200VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)325mWID12A(1) PD (3) 40WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche t
rcj120n20.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ120N20FEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 325m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
rcj120n25.pdf
RCJ120N25 Nch 250V 12A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS250VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)235mWID12A(1) PD40W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche tes
rcj120n25.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ120N25FEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 235m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Другие MOSFET... RCD051N20 , RCD075N19 , RCD080N25TL , RCD100N19 , RCJ050N25 , RCJ080N25 , RCJ081N20 , RCJ100N25 , IRF630 , RCJ120N25 , RCJ160N20 , RCJ200N20 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , RCJ510N25 , RCJ700N20 , RCX051N25 .
History: PTS4936 | SWB058R65E7T | 2SK3874-01R | AUIRF7341Q | AP20N15GH | STD25NF10LA | RCJ100N25
History: PTS4936 | SWB058R65E7T | 2SK3874-01R | AUIRF7341Q | AP20N15GH | STD25NF10LA | RCJ100N25
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet



