R6011ENX. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: R6011ENX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm
Тип корпуса: TO-220FM
Аналог (замена) для R6011ENX
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
R6011ENX даташит
r6011enx.pdf
R6011ENX Nch 600V 11A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 600V TO-220FM RDS(on) (Max.) 0.390W ID 11A (3) PD 40W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lea
r6011enx.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor R6011ENX FEATURES Drain Current I = 11A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 390m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo
r6011enj.pdf
R6011ENJ Nch 600V 11A Power MOSFET Data Sheet lOutline (2) VDSS 600V LPT(S) (SC-83) RDS(on) (Max.) 0.390W ID 11A (1) PD 40W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-
r6011enj.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor R6011ENJ FEATURES Drain Current I = 11A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 390m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo
Другие MOSFET... R6004END , R6004ENJ , R6004ENX , R6007ENJ , R6007ENX , R6009ENJ , R6009ENX , R6011ENJ , IRF2807 , R6012FNJ , R6015ENJ , R6015ENX , R6015ENZ , R6015FNJ , R6020ENJ , R6020ENX , R6020ENZ .
History: RE1E002SP
History: RE1E002SP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet



