NTD4809NH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTD4809NH  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 331 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO251 TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTD4809NH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD4809NH даташит

 0.1. Size:330K  onsemi
 ntd4809nhg.pdf pdf_icon

NTD4809NH

NTD4809NH Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb--Free Devices V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 9.0 m @10V 30 V 58 A CPU Power Delivery 12.5 m @4.5 V DC--DC

 0.2. Size:153K  onsemi
 ntd4809nh-1g.pdf pdf_icon

NTD4809NH

NTD4809NH, NVD4809NH Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVD4809NH V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 9.0 m

 6.1. Size:150K  onsemi
 ntd4809n-1g.pdf pdf_icon

NTD4809NH

NTD4809N Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free Devices V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 9.0 mW @ 10 V CPU Power Delivery 30 V 58 A 14 mW @ 4.5 V DC-DC Conv

 6.2. Size:117K  onsemi
 ntd4809n nvd4809n.pdf pdf_icon

NTD4809NH

NTD4809N, NVD4809N Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses AEC Q101 Qualified - NVD4809N V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 9.0 mW @ 10 V 30 V 58 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... R9522, 2SJ455, 2SK0123, BSC0906NS, IPD09N03LA, IPF09N03LA, IPS09N03LA, IPU09N03LA, IRFZ44, NTD4809NHG, SI2300A, SPP07N60C2, SPB07N60C2, SPA07N60C2, RDX050N50FU6, RDX060N60FU6, RDX080N50FU6