RE1C002UN - описание и поиск аналогов

 

RE1C002UN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RE1C002UN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: EMT3F

Аналог (замена) для RE1C002UN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RE1C002UN даташит

 ..1. Size:545K  rohm
 re1c002un.pdf pdf_icon

RE1C002UN

RE1C002UN Nch 20V 200mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS 20V EMT3F (3) RDS(on) (Max.) 1.2W (1) ID 200mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE

 7.1. Size:481K  rohm
 re1c002zp.pdf pdf_icon

RE1C002UN

RE1C002ZP Pch -20V -200mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS -20V (3) EMT3F RDS(on) (Max.) 1.2W (1) ID -200mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIO

 8.1. Size:590K  rohm
 re1c001un.pdf pdf_icon

RE1C002UN

RE1C001UN Nch 20V 100mA Small Signal MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 20V EMT3F (3) RDS(on) (Max.) 3.5W ID (1) 100mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE

 8.2. Size:399K  rohm
 re1c001zp.pdf pdf_icon

RE1C002UN

RE1C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS -20V (3) EMT3F RDS(on) (Max.) 3.8W (1) ID -100mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SPA07N60C2 , RDX050N50FU6 , RDX060N60FU6 , RDX080N50FU6 , RDX100N60FU6 , RDX120N50FU6 , RE1C001UN , RE1C001ZP , 2N7000 , RE1C002ZP , RE1E002SP , RE1J002YN , RE1L002SN , RF1S25N06 , RF1S30N06LE , RF1S30P06 , RF1S40N10 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.