SISA14DN. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SISA14DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
Тип корпуса: 1212-8
Аналог (замена) для SISA14DN
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SISA14DN даташит
sisa14dn.pdf
SiSA14DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.00510 at VGS = 10 V Material categorization 30 20 9.4 nC 0.00850 at VGS = 4.5 V For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212-8 APPLICATIONS D
sisa12adn.pdf
New Product SiSA12ADN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0043 at VGS = 10 V 25 Material categorization 30 13.6 nC 0.0060 at VGS = 4.5 V For definitions of compliance please see 25 www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK
sisa18dn.pdf
New Product SiSA18DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0075 at VGS = 10 V 38.3 Material categorization 30 6.9 nC 0.0120 at VGS = 4.5 V 30.2 For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212-8
sisa10dn.pdf
New Product SiSA10DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0037 at VGS = 10 V 30 Material categorization 30 15.4 nC 0.0050 at VGS = 4.5 V For definitions of compliance please see 30 www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212
Другие MOSFET... SIS892ADN , SIS892DN , SIS902DN , SIS990DN , SISA04DN , SISA10DN , SISA12ADN , SISA12DN , AO4468 , SISA18ADN , SISA18DN , SISS23DN , SISS40DN , SIX3439K , SIZ300DT , SIZ340DT , SIZ342DT .
History: BUK9610-30
History: BUK9610-30
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945






