Справочник MOSFET. RFG60P06E

 

RFG60P06E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFG60P06E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для RFG60P06E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFG60P06E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  fairchild semi
rfg60p06e.pdfpdf_icon

RFG60P06E

RFG60P06EData Sheet January 200260A, 60V, 0.030 Ohm, ESD Rated, FeaturesP-Channel Power MOSFET 60A, 60VThe RFG60P06E P-Channel power MOSFET is rDS(ON) = 0.030manufactured using the MegaFET process. This process, Temperature Compensating PSPICE Modelwhich uses feature sizes approaching those of LSI circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in ou

 7.1. Size:133K  fairchild semi
rfg60p05e.pdfpdf_icon

RFG60P06E

RFG60P05EData Sheet January 200260A, 50V, 0.030 Ohm, ESD Rated, FeaturesP-Channel Power MOSFET 60A, 50VThis is a P-Channel power MOSFET manufactured using the rDS(ON) = 0.030MegaFET process. This process, which uses feature sizes Temperature Compensating PSPICE Modelapproaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstand

 7.2. Size:103K  harris semi
rfg60p03 rfp60p03 rf1s60p03-sm.pdfpdf_icon

RFG60P06E

Другие MOSFET... RFG40N10LE , RFG45N06 , RFG45N06LE , RFG50N05L , RFG50N06 , RFG50N06LE , RFG60P03 , RFG60P05E , IRF4905 , RFG70N06 , RFG75N05E , RFL1N10L , RFP10P03L , RFP12N06RLE , RFP12N10L , RFP12P08 , RFP12P10 .

History: BL40N25-W | HGP115N15S | SM6130NSUB | BRCS020N06SRA | SI4448DY | HY1203S | 2SK3539G0L

 

 
Back to Top

 


 
.