RFG60P06E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RFG60P06E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO247
RFG60P06E Datasheet (PDF)
rfg60p06e.pdf
RFG60P06EData Sheet January 200260A, 60V, 0.030 Ohm, ESD Rated, FeaturesP-Channel Power MOSFET 60A, 60VThe RFG60P06E P-Channel power MOSFET is rDS(ON) = 0.030manufactured using the MegaFET process. This process, Temperature Compensating PSPICE Modelwhich uses feature sizes approaching those of LSI circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in ou
rfg60p05e.pdf
RFG60P05EData Sheet January 200260A, 50V, 0.030 Ohm, ESD Rated, FeaturesP-Channel Power MOSFET 60A, 50VThis is a P-Channel power MOSFET manufactured using the rDS(ON) = 0.030MegaFET process. This process, which uses feature sizes Temperature Compensating PSPICE Modelapproaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstand
Другие MOSFET... RFG40N10LE , RFG45N06 , RFG45N06LE , RFG50N05L , RFG50N06 , RFG50N06LE , RFG60P03 , RFG60P05E , IRF1010E , RFG70N06 , RFG75N05E , RFL1N10L , RFP10P03L , RFP12N06RLE , RFP12N10L , RFP12P08 , RFP12P10 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918