UJN1208K - описание и поиск аналогов

 

UJN1208K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UJN1208K

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.285 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для UJN1208K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UJN1208K даташит

 ..1. Size:577K  usc
ujn1208k.pdfpdf_icon

UJN1208K

xJ SiC Series... 80mW - 1200V SiC Normally-On JFET... UJN1208K... Features CASE Low On-Resistance RDS(on)max of 0.080W CASE Voltage controlled Maximum operating temperature of 175 C Extremely fast switching not dependent on temperature Low gate charge Low intrinsic capacitance Typical Applications 1 2 3 Over Current Protection Circuits DC-AC Inverters Part Number Pack

 7.1. Size:436K  usc
ujn1208z.pdfpdf_icon

UJN1208K

xJ SiC Series... 80mW - 1200V SiC Normally-On JFET... UJN1208Z Die Form... Features Low On-Resistance RDS(on)max of 0.080W Voltage controlled Maximum operating temperature of 175 C Source Extremely fast switching not dependent on Pad temperature Low gate charge Low intrinsic capacitance Typical Applications Gate Pad Over Current Protection Circuits DC-AC Inverters Part N

 8.1. Size:564K  usc
ujn1205k.pdfpdf_icon

UJN1208K

xJ SiC Series... 45mW - 1200V SiC Normally-On JFET... UJN1205K... Features CASE Low On-Resistance RDS(on)max of 0.045W CASE Voltage controlled Maximum operating temperature of 175 C Extremely fast switching not dependent on temperature Low gate charge Low intrinsic capacitance Typical Applications 1 2 3 Over Current Protection Circuits DC-AC Inverters Part Number Pack

 8.2. Size:424K  usc
ujn1205z.pdfpdf_icon

UJN1208K

xJ SiC Series... 45mW - 1200V SiC Normally-On JFET... UJN1205Z Die Form... Features Low On-Resistance RDS(on)max of 0.045W Voltage controlled Maximum operating temperature of 175 C Source Extremely fast switching not dependent on Pad temperature Low gate charge Low intrinsic capacitance Typical Applications Gate Pad Over Current Protection Circuits DC-AC Inverters Part

Другие MOSFET... SW4N65U , SW4N70B , SW4N70K , SW4N80B , SW601Q , U55NF06 , UC1764 , UJN1205K , IRF520 , UM6J1N , UM6K33N , UM6K34N , UPA1716 , UPA1716G , UPA1717 , UPA1717G , UPA1720 .

History: AP8N4R2MT | SMK730F | APM2321AAC | CM15N50 | 2SK2602 | AGM402C | AGM402A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.