UJN1208K - аналоги и даташиты транзистора

 

UJN1208K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: UJN1208K
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.285 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для UJN1208K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UJN1208K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:577K  usc
 ujn1208k.pdf pdf_icon

UJN1208K

xJ SiC Series... 80mW - 1200V SiC Normally-On JFET...UJN1208K...FeaturesCASE Low On-Resistance RDS(on)max of 0.080WCASE Voltage controlledMaximum operating temperature of 175CExtremely fast switching not dependent on temperatureLow gate chargeLow intrinsic capacitanceTypical Applications1 2 3 Over Current Protection CircuitsDC-AC InvertersPart Number Pack

 7.1. Size:436K  usc
 ujn1208z.pdf pdf_icon

UJN1208K

xJ SiC Series... 80mW - 1200V SiC Normally-On JFET...UJN1208Z Die Form...FeaturesLow On-Resistance RDS(on)max of 0.080WVoltage controlledMaximum operating temperature of 175CSource Extremely fast switching not dependent on Pad temperatureLow gate chargeLow intrinsic capacitanceTypical Applications Gate Pad Over Current Protection CircuitsDC-AC InvertersPart N

 8.1. Size:564K  usc
 ujn1205k.pdf pdf_icon

UJN1208K

xJ SiC Series... 45mW - 1200V SiC Normally-On JFET...UJN1205K...FeaturesCASE Low On-Resistance RDS(on)max of 0.045WCASE Voltage controlledMaximum operating temperature of 175CExtremely fast switching not dependent on temperatureLow gate chargeLow intrinsic capacitanceTypical Applications1 2 3 Over Current Protection CircuitsDC-AC InvertersPart Number Pack

 8.2. Size:424K  usc
 ujn1205z.pdf pdf_icon

UJN1208K

xJ SiC Series... 45mW - 1200V SiC Normally-On JFET...UJN1205Z Die Form...FeaturesLow On-Resistance RDS(on)max of 0.045WVoltage controlledMaximum operating temperature of 175CSource Extremely fast switching not dependent on Pad temperatureLow gate chargeLow intrinsic capacitanceTypical ApplicationsGate Pad Over Current Protection CircuitsDC-AC InvertersPart

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SW4N65U , SW4N70B , SW4N70K , SW4N80B , SW601Q , U55NF06 , UC1764 , UJN1205K , IRF520 , UM6J1N , UM6K33N , UM6K34N , UPA1716 , UPA1716G , UPA1717 , UPA1717G , UPA1720 .

History: ELM32420LA | G90N04 | 2SK1927

 

 
Back to Top

 


 
.