RFP2N10L - аналоги и даташиты транзистора

 

RFP2N10L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RFP2N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для RFP2N10L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP2N10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  intersil
 rfp2n08l rfp2n10l.pdf pdf_icon

RFP2N10L

RFP2N08L, RFP2N10LData Sheet July 1999 File Number 2872.22A, 80V and 100V, 1.050 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 2A, 80V and 100VThe RFP2N08L and RFP2N10L are N-Channel enhancement rDS(ON) = 1.050mode silicon gate power field effect transistors specifically Design Optimized for 5V Gate Drivesdesigned for use with logic level (5V) driving sources i

 7.1. Size:87K  njs
 rfp2n08 rfp2n10.pdf pdf_icon

RFP2N10L

 8.1. Size:87K  njs
 rfl1n18l rfl1n20l rfp2n18l rfp2n20l.pdf pdf_icon

RFP2N10L

 9.1. Size:342K  fairchild semi
 rfp2n20l.pdf pdf_icon

RFP2N10L

RFP2N20LData Sheet January 20022A, 200V, 3.500 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFET 2A, 200VThe RFP2N20L N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 3.500power field effect transistor is specifically designed for use Design Optimized for 5V Gate Driveswith logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, autom

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RFP15P05 , RFP15P05SM , RFP15P06 , RFP22N10 , RFP25N05 , RFP25N05L , RFP25N06 , RFP2N08L , CS150N03A8 , RFP2N20 , RFP2N20L , RFP3055 , RFP3055LE , RFP30N06LE , RFP30P05 , RFP30P06 , RFP40N10 .

History: NVMFS4841N | FDB075N15AF085

 

 
Back to Top

 


 
.