AON6718L - описание и поиск аналогов

 

AON6718L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON6718L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 693 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6718L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6718L даташит

 ..1. Size:153K  aosemi
aon6718l.pdfpdf_icon

AON6718L

AON6718L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SRFET TM General Description Features SRFETTM AON6718L uses advanced trench technology VDS (V) = 30V with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is ID = 80A (VGS = 10V) ideally suited for use as a low side switch in CPU core RDS(ON)

 8.1. Size:279K  aosemi
aon6716.pdfpdf_icon

AON6718L

AON6716 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary VDS 30V SRFETTM AON6716 uses advanced trench technology ID (at VGS=10V) 85A with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:133K  aosemi
aon6712.pdfpdf_icon

AON6718L

AON6712 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary The AON6712 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON), low gate charge.This ID = 20A (VGS = 10V) device is suitable for use as a high side switch in RDS(ON)

 8.3. Size:128K  aosemi
aon6710.pdfpdf_icon

AON6718L

AON6710 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary VDS (V) = 30V SRFETTM The AON6710 uses advanced trench ID = 20A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON) and low gate RDS(ON)

Другие MOSFET... US6K1 , US6K2 , US6K4 , US6M1 , US6M11 , US6M2 , US6U37 , AM4437P , 8205A , APM3009NF , APM3009NG , APM3009NU , APM3023NU , APM3023NV , APM3023NF , SI4834BDY , SI4856DY .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.