Справочник MOSFET. RFP4N100

 

RFP4N100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RFP4N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 120(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 50(max) ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для RFP4N100

 

 

RFP4N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  fairchild semi
 rfp4n100 rf1s4n100sm.pdf

RFP4N100 RFP4N100

RFP4N100, RF1S4N100SMData Sheet January 20024.3A, 1000V, 3.500 Ohm, High Voltage, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 4.3A, 1000VThe RFP4N100 and RFP4N100SM are N-Channel rDS(ON) = 3.500enhancement mode silicon gate power field effect UIS Rating Curve (Single Pulse)transistors. They are designed for use in applications such as switching regulators, switching conver

 9.1. Size:255K  njs
 rfl2n05l rfl2n06l rfp4n05l rfp4n06l.pdf

RFP4N100 RFP4N100

 9.2. Size:42K  harris semi
 rfm4n35 rfm4n40 rfp4n35 rfp4n40.pdf

RFP4N100 RFP4N100

RFM4N35, RFM4N40, RFP4N35, RFP4N40SemiconductorData Sheet October 1998 File Number 1491.34A, 350V and 400V, 2.000 Ohm, N-Channel FeaturesPower MOSFETs 4A, 350V and 400V[ /Title[ /TitleThese are N-channel enhancement-mode silicon-gate rDS(ON) = 2.000(RFM4N()power field effect transistors designed for applications such35, Related Literature/Sub- as switchi

 9.3. Size:40K  intersil
 rfp4n05l rfp4n06l.pdf

RFP4N100 RFP4N100

RFP4N05L, RFP4N06LData Sheet July 1999 File Number 2876.24A, 50V and 60V, 0.800 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 4A, 50V and 60VThe RFP4N05L and RFP4N06L are N-Channel enhancement rDS(ON) = 0.800mode silicon gate power field effect transistors designed for Design Optimized for 5V Gate Drivesapplications such as switching regulators, switchingconv

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top